PHS-memory 2GB di memoria RAM per Sony VAIO VGN-N11S/W DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGN-N11S/W, 1 x 2GBSolo 4 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 2GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony VAIO VGN-N11S/W e offre un'espansione affidabile e potente della memoria. Con una frequenza di clock di memoria di 667 MHz (PC2-5300S), questa memoria DDR2 SO-DIMM garantisce prestazioni ottimali per applicazioni quotidiane e multitasking. La tensione di 1,8 Volt assicura un'alimentazione energetica efficiente, mentre i 200 pin consentono un'installazione semplice. Questa RAM è una scelta ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop Sony VAIO senza compromettere la compatibilità. L'installazione del modulo è semplice e consente di migliorare rapidamente le prestazioni del sistema, il che è particolarmente vantaggioso per le applicazioni che richiedono elevate risorse di memoria.
- 100% compatibile con Sony VAIO VGN-N11S/W
- Installazione semplice grazie al fattore di forma SO-DIMM a 200 pin
- Prestazioni ottimali con frequenza di clock di memoria di 667 MHz.
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-N11S/W |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 667 MHz |
No. di articolo | 22395218 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP135559 |
Data di rilascio | 19/4/2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO VGN-N11S/W |
Configurazione della memoria | 1 x 2GB |
Tipo di RAM | DDR2-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 667 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 2 GB |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 200 x |
Tensione elettrica | 1.80 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Sicurezza del prodotto |
30 giorni di diritto di recesso