PHS-memory 4GB di memoria RAM per Sony Vaio SVE1112M1E DDR3 SO DIMM 1600MHz
Sony VAIO SVE1112M1E, 1 x 4GBPiù di 10 pezzi in stock presso il fornitore
Informazioni sul prodotto
La memoria RAM da 4GB di PHS-memory è progettata specificamente per il modello Sony Vaio SVE1112M1E e offre un'espansione affidabile e potente della memoria di lavoro. Con una capacità di 4GB e una frequenza di clock di 1600MHz, questa memoria DDR3 SO-DIMM consente un miglioramento delle prestazioni di sistema e un'esecuzione fluida delle applicazioni. La compatibilità con il Sony Vaio SVE1112M1E garantisce un'installazione semplice e un'ottimale funzionalità. La memoria è progettata per funzionare a una tensione di 1.35 Volt, rendendola energeticamente efficiente e migliorando al contempo le prestazioni. Ideale per gli utenti che desiderano aumentare le prestazioni del proprio laptop, questa RAM offre una soluzione economica per le attività quotidiane e il multitasking.
- 100% compatibile con Sony Vaio SVE1112M1E
- Configurazione della memoria: 1 x 4GB
- Tipo di memoria: RAM DDR3
- Efficiente dal punto di vista energetico con tensione di 1.35 Volt.
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Modello compatibile | Sony VAIO SVE1112M1E |
Marca compatibile | Sony |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
No. di articolo | 22394563 |
Produttore | PHS-memory |
Categoria | Memoria RAM (modelli specifici) |
No. di fabbricazione | SP273384 |
Data di rilascio | 19/4/2021 |
Marca compatibile | Sony |
Modello compatibile | Sony VAIO SVE1112M1E |
Configurazione della memoria | 1 x 4GB |
Tipo di RAM | DDR3-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 1600 MHz |
Capacità memoria (RAM) per modulo | 4 GB |
Chip RAM | LPDDR3 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 204 x |
Tensione elettrica | 1.35 V |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Sicurezza del prodotto |
30 giorni di diritto di recesso