Modulo di Memoria PNY Performance DDR4 - 16 GB SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - Non bufferizzato - Non-ECC.
Tipo di prodotto: Modulo di memoria
Capacità: 16 GB
Tipo di memoria: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
Tipo di espansione: Generico
Controllo dell'integrità dei dati: Non-ECC
Velocità: 3200 MHz (PC4-25600)
Latenza: CL22
Caratteristiche di prestazione: Non bufferizzato
Tensione: 1.2 V
Dettagli generali:
Capacità: 16 GB
Tipo di espansione: Generico
Tipo di memoria: DRAM
Tecnologia del modulo di memoria: DDR4 SDRAM
Fattore di forma: SO DIMM 260-PIN
Velocità: 3200 MHz (PC4-25600)
Latenze: CL22
Controllo dell'integrità dei dati: Non-ECC
Caratteristiche: Non bufferizzato
Tensione: 1.2 V.
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Configurazione della memoria | 1 x 16GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 3200 MHz |
Latenza CAS | 22 |
Tensione elettrica | 1.20 V |
No. di articolo | 21059601 |
Produttore | PNY |
Categoria | Memoria RAM |
No. di fabbricazione | MN16GSD43200-TB |
Data di rilascio | 3/6/2022 |
Configurazione della memoria | 1 x 16GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | DDR4-RAM |
Frequenza di clock di memorizzazione | 3200 MHz |
Chip RAM | DDR4-3200 |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 260 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Latenza CAS | 22 |
Tensione elettrica | 1.20 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Altezza | 150 mm |
Lunghezza | 15.30 cm |
Larghezza | 11.40 cm |
Altezza | 0.80 cm |
Peso | 11 g |
Sicurezza del prodotto |
La frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «Memoria RAM» presenta un difetto nei primi 24 mesi.
Fonte: GalaxusIl tempo di elaborazione che intercorre tra l'arrivo al centro di assistenza e il recupero da parte del cliente, in media in giorni lavorativi.
Fonte: GalaxusLa frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «Memoria RAM» viene restituito.
Fonte: Galaxus