Il modulo di memoria Samsung da 8 GB è un potente RAM DDR5, progettato specificamente per l'uso nei notebook. Con una frequenza di clock della memoria di 2800 MHz e una velocità di trasferimento di fino a 5600 T/s, questo modulo SO-DIMM offre prestazioni e efficienza migliorate rispetto alle generazioni precedenti. La memoria unbuffered garantisce una connessione diretta tra la RAM e la CPU, ottimizzando la reattività e le prestazioni complessive del sistema. Con una tensione di soli 1,1 V, questo modulo è energeticamente efficiente e contribuisce ad estendere la durata della batteria dei dispositivi portatili. La configurazione a 262 pin assicura un'installazione semplice nei notebook compatibili e garantisce una connessione affidabile.
Tipo di RAM | RAM DDR5 |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Frequenza di clock di memorizzazione | 5600 MHz |
Tensione elettrica | 1.10 V |
No. di articolo | 62331817 |
Produttore | Samsung |
Categoria | Memoria RAM |
No. di fabbricazione | M425R1GB4BB0-CWM |
Data di rilascio | 24/9/2025 |
Configurazione della memoria | 1 x 8GB |
Settori di utilizzo | Notebook |
Tipo di RAM | RAM DDR5 |
Frequenza di clock di memorizzazione | 5600 MHz |
Chip RAM | DDR5 SDRAM |
Forma RAM | SO-DIMM |
Numero di pin | 262 x |
RAM tampone | Senza buffer |
Tensione elettrica | 1.10 V |
Paese di origine | Cina |
Emissione di CO₂ | |
Contributo climatico |
Sicurezza del prodotto |
La frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «Memoria RAM» presenta un difetto nei primi 24 mesi.
Fonte: GalaxusIl tempo di elaborazione che intercorre tra l'arrivo al centro di assistenza e il recupero da parte del cliente, in media in giorni lavorativi.
Fonte: GalaxusLa frequenza con cui un prodotto di questo marchio nella categoria «Memoria RAM» viene restituito.
Fonte: Galaxus